什么是MOCVD？
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種氣相外延生長。
MOCVD設備將Ⅱ或Ⅲ族金屬有機化合物與Ⅳ或Ⅴ族元素的氫化物相混合后通入反應腔，混合氣體流經加熱的襯底表面時，在襯底表面發(fā)生熱分解反應，并外延生長成化合物單晶薄膜。與其他外延生長相比，MOCVD有著如下：
（1）用于生長化合物半導體材料的各組分和摻雜劑都是以氣態(tài)的方式通入反應室，因此，可以通過控制氣態(tài)源的流量和通斷時間來控制外延層的組分、摻雜濃度、厚度等?？梢杂糜谏L薄層和薄層材料。
?。?）反應室中氣體流速較快。因此，在需要改變多元化合物的組分和摻雜濃度時，可以迅速進行改變，減小記憶效應發(fā)生的可能性。這有利于獲得陡峭的界面，適于進行異質結構和晶格、量子阱材料的生長。
?。?）LED外延生長是以熱解化學反應的方式進行的，是單溫區(qū)外延生長。只要控制好反應源氣流和溫度分布的均勻性，就可以外延材料的均勻性。因此，適于多片和大片的外延生長，便于工業(yè)化大批量生產。
?。?）通常情況下，LED外延生長速率與Ⅲ族源的流量成正比，因此，生長速率調節(jié)范圍較廣。較快的生長速率適用于批量生長。
?。?）使用較靈活。原則上只要能夠選擇合適的原材料就可以進行包含該元素的材料的MOCVD生長。而可供選擇作為反應源的金屬有機化合物種類較多，性質也有一定的差別。
（6）由于對真空度的要求較低，反應室的結構較簡單。
?。?）隨著檢測的發(fā)展，可以對MOCVD的生長過程進行在位監(jiān)測。
實際上，對于MOCVD和MBE來說，采用它們所制備的外延結構和器件的性能沒有很大的差別。MOCVD吸引入的地方在于它的通用性，只要能夠選取到合適的金屬有機源就可以進行外延生長。而且只要氣流和溫度的均勻分布就可以獲得大面積的均勻材料，適合進行大規(guī)模工業(yè)化生產。
MOCVD的主要缺點大部分均與其所采用的反應源有關。首先是所采用的金屬有機化合物和氫化物源價格較為昂貴，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危險性，并且，反應后產物需要進行無害化處理，以避免造成環(huán)境污染。另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要對反應過程進行仔細控制以避免引入非故意摻雜的雜質。
通常MOCVD生長的過程可以描述如下：被控制流量的反應源材料在載氣（通常為H2，也有的系統(tǒng)采用N2）的攜帶下被通入石英或者不銹鋼的反應室，在襯底上發(fā)生表面反應后生長外延層，襯底是放置在被加熱的基座上的。在反應后殘留的尾氣被掃出反應室，通過去除微粒和毒性的尾氣處理裝置后被排出系統(tǒng)。MOCVD工作原理如圖所示。
圖：MOCVD的工作流程圖
一臺MOCVD生長設備可以簡要地分為以下的4個部分。
?。?）氣體操作系統(tǒng)
氣體操作系統(tǒng)包括控制Ⅲ族金屬有機源和V族氫化物源的氣流及其混合物所采用的的閥門、泵以及設備和管路。其中，重要的是對通入反應室進行反應的原材料的量進行控制的部分。主要包括對流量進行控制的質量流量控制計（MFC），對壓力進行控制的壓力控制器（PC）和對金屬有機源實現(xiàn)溫度控制的水浴恒溫槽（Thor·mal Bath）。
?。?）反應室
反應室是MOCVD生長系統(tǒng)的核心組成部分，反應室的設計對生長的效果有至關重要的影響。不同的MOCVD設備的生產廠家對反應室的設計也有所不同。但是，終的目的是相同的，即避免在反應室中出現(xiàn)離壁射流和湍流的存在，只存在層流，從而實現(xiàn)在反應室內的氣流和溫度的均勻分布，有利于大面積均勻生長。
（3）加熱系統(tǒng)
MOCVD系統(tǒng)中襯底的加熱方式主要有三種：射頻加熱，紅外輻射加熱和電阻加熱。在射頻加熱方式中，石墨的基座被射頻線圈通過誘導耦合加熱。這種加熱形式在大型的反應室中經常采用，但是通常系統(tǒng)過于復雜。為了避免系統(tǒng)的復雜性，在稍小的反應室中，通常采用紅外輻射加熱方式。鹵鎢燈產生的熱能被轉化為紅外輻射能，石墨的基座吸收這種輻射能并將其轉化回熱能。在電阻加熱方式中，熱能是由通過金屬基座中的電流流動來提供的。
?。?）尾氣處理系統(tǒng)
由于MOCVD系統(tǒng)中所采用的大多數(shù)源均易燃易爆，雨其中的氫化物源又有劇毒，因此，必須對反應過后的尾氣進行處理。通常采用的處理方式是將尾氣先通過微粒過濾器去除其中的微粒（如P等）后，再將其通入氣體洗滌器（Scrubber）采用**溶液進行**。另外一種**的方式是采用燃燒室。在燃燒室中包括一個高溫爐，可以在900～1 000℃下，將尾氣中的物質進行熱解和氧化，從而實現(xiàn)無害化。反應生成的產物被淀積在石英管的內壁上，可以很容易去除。（編輯：璇子）
