文章詳情
真空鍍膜的現(xiàn)狀及發(fā)展
日期：2024-09-20 07:40
瀏覽次數(shù)：1472
摘要：
薄膜是一種物質(zhì)形態(tài)，它所使用的膜材料，可以是單質(zhì)元素或化合物，也可以是無機材料或有機材料。薄膜與塊狀物質(zhì)一樣，可以是單晶態(tài)的，多晶態(tài)的或非晶態(tài)的。近年來功能材料薄膜和復合薄膜也有很大發(fā)展。鍍膜及薄膜產(chǎn)品在工業(yè)上的應用，尤其是在電子材料與元器件工業(yè)中占有及其重要的地位。
鍍膜方法可以分為氣相生成法，氧化法，離子注入法，擴散法，電鍍法，涂布法，液相生長法等。氣相生成法又可分為物**相沉積法，化學氣相沉積法和放電聚合法等。
真空泵維修 ，蒸發(fā)，濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物**相沉積法，是基本的薄膜制備。它們都要求淀積薄膜的空間要有一定的真空度。所以，真空是薄膜制作的基礎，獲得并保持所需的真空環(huán)境，是鍍膜的必要條件。
真空系統(tǒng)的種類繁多。在實際工作中，必須根據(jù)自己的工作重點進行選擇。典型的真空系統(tǒng)包括：獲得真空的設備（真空泵），待抽空的容器（真空室），測量真空的器具（真空計）以及必要的管道，閥門和其它附屬設備。
1 真空蒸發(fā)鍍膜法
真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到固體（稱為襯底或基片）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜又可以分為下列幾種：
1．1 電阻蒸發(fā)源蒸鍍法
采用鉭，鉬，鎢等高熔點金屬，做成適當形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓氣流通過，對蒸發(fā)材料進行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入氧化鋁，氧化鈹?shù)熔徨佒羞M行間接加熱蒸發(fā)，這就是電阻加熱蒸發(fā)法。
利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜機結(jié)構(gòu)簡單，造價便宜，使用，可用于熔點不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對鍍膜質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中，迄今為止，在鍍鋁制鏡的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。
電阻加熱方式的缺點是：加熱所能達到的高溫度有限，加熱器的壽命液較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，已采用壽命較長的氮化硼合成的導電陶瓷材料作為加熱器。據(jù)報道，可采用20％～30％的氮化硼和能與其相熔的耐火材料所組成的材料來制作坩鍋，并在表面涂上一層含62％～82％的鋯，其余為鋯硅合金材料。
1．2 電子束蒸發(fā)源蒸鍍法
將蒸發(fā)材料放入水冷鋼坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點，適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。
依靠電子束轟擊蒸發(fā)的真空蒸鍍，根據(jù)電子束蒸發(fā)源的形式不同，又可分為環(huán)形槍，直槍，e型槍和空心陰極電子槍等幾種。
環(huán)形槍是由環(huán)形的陰極來發(fā)射電子束，經(jīng)聚焦和偏轉(zhuǎn)后打在坩鍋內(nèi)使金屬材料蒸發(fā)。它的結(jié)構(gòu)較簡單，但是功率和效率都不高，基本上只是一種實驗室用的設備，目前在生產(chǎn)型的裝置中已經(jīng)不再使用。
直槍是一種軸對稱的直線加速槍，電子從燈絲陰極發(fā)射，聚成細束，經(jīng)陽極加速后打在坩鍋中使鍍膜材料融化和蒸發(fā)。直槍的功率從幾百瓦至幾百千瓦的都有，有的可用于真空蒸發(fā)，有的可用于真空冶煉。直槍的缺點是蒸鍍的材料會污染槍體結(jié)構(gòu)，給運行的穩(wěn)定性帶來困難，同時發(fā)射燈絲上逸出的鈉離子等也會引起膜層的污染，近由西德公司研究，在電子束的處設置偏轉(zhuǎn)磁場，并在燈絲部位制成一套獨立的抽氣系統(tǒng)而做成直槍的改進形式，不但徹底干便了燈絲對膜的污染，而且還有利于提高槍的壽命。
e型電子槍，即270攝氏度偏轉(zhuǎn)的電子槍克服了直槍的缺點，是目前用的較多的電子束蒸發(fā)源之一。e型電子槍可以產(chǎn)生很多的功率密度，能融化高熔點的金屬，產(chǎn)生的蒸發(fā)粒子能量高，使膜層和基底結(jié)合牢固，成膜的質(zhì)量較好。缺點使電子槍要求較高的真空度，并需要使用負高壓，真空室內(nèi)要求有查壓板，這些造成了設備結(jié)構(gòu)復雜，性差，不易維護，造價也較高。
鍍膜方法可以分為氣相生成法，氧化法，離子注入法，擴散法，電鍍法，涂布法，液相生長法等。氣相生成法又可分為物**相沉積法，化學氣相沉積法和放電聚合法等。
真空泵維修 ，蒸發(fā)，濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物**相沉積法，是基本的薄膜制備。它們都要求淀積薄膜的空間要有一定的真空度。所以，真空是薄膜制作的基礎，獲得并保持所需的真空環(huán)境，是鍍膜的必要條件。
真空系統(tǒng)的種類繁多。在實際工作中，必須根據(jù)自己的工作重點進行選擇。典型的真空系統(tǒng)包括：獲得真空的設備（真空泵），待抽空的容器（真空室），測量真空的器具（真空計）以及必要的管道，閥門和其它附屬設備。
1 真空蒸發(fā)鍍膜法
真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到固體（稱為襯底或基片）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。真空蒸發(fā)鍍膜又可以分為下列幾種：
1．1 電阻蒸發(fā)源蒸鍍法
采用鉭，鉬，鎢等高熔點金屬，做成適當形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料，讓氣流通過，對蒸發(fā)材料進行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入氧化鋁，氧化鈹?shù)熔徨佒羞M行間接加熱蒸發(fā)，這就是電阻加熱蒸發(fā)法。
利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜機結(jié)構(gòu)簡單，造價便宜，使用，可用于熔點不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜，尤其適用于對鍍膜質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中，迄今為止，在鍍鋁制鏡的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。
電阻加熱方式的缺點是：加熱所能達到的高溫度有限，加熱器的壽命液較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，已采用壽命較長的氮化硼合成的導電陶瓷材料作為加熱器。據(jù)報道，可采用20％～30％的氮化硼和能與其相熔的耐火材料所組成的材料來制作坩鍋，并在表面涂上一層含62％～82％的鋯，其余為鋯硅合金材料。
1．2 電子束蒸發(fā)源蒸鍍法
將蒸發(fā)材料放入水冷鋼坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點，適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。
依靠電子束轟擊蒸發(fā)的真空蒸鍍，根據(jù)電子束蒸發(fā)源的形式不同，又可分為環(huán)形槍，直槍，e型槍和空心陰極電子槍等幾種。
環(huán)形槍是由環(huán)形的陰極來發(fā)射電子束，經(jīng)聚焦和偏轉(zhuǎn)后打在坩鍋內(nèi)使金屬材料蒸發(fā)。它的結(jié)構(gòu)較簡單，但是功率和效率都不高，基本上只是一種實驗室用的設備，目前在生產(chǎn)型的裝置中已經(jīng)不再使用。
直槍是一種軸對稱的直線加速槍，電子從燈絲陰極發(fā)射，聚成細束，經(jīng)陽極加速后打在坩鍋中使鍍膜材料融化和蒸發(fā)。直槍的功率從幾百瓦至幾百千瓦的都有，有的可用于真空蒸發(fā)，有的可用于真空冶煉。直槍的缺點是蒸鍍的材料會污染槍體結(jié)構(gòu)，給運行的穩(wěn)定性帶來困難，同時發(fā)射燈絲上逸出的鈉離子等也會引起膜層的污染，近由西德公司研究，在電子束的處設置偏轉(zhuǎn)磁場，并在燈絲部位制成一套獨立的抽氣系統(tǒng)而做成直槍的改進形式，不但徹底干便了燈絲對膜的污染，而且還有利于提高槍的壽命。
e型電子槍，即270攝氏度偏轉(zhuǎn)的電子槍克服了直槍的缺點，是目前用的較多的電子束蒸發(fā)源之一。e型電子槍可以產(chǎn)生很多的功率密度，能融化高熔點的金屬，產(chǎn)生的蒸發(fā)粒子能量高，使膜層和基底結(jié)合牢固，成膜的質(zhì)量較好。缺點使電子槍要求較高的真空度，并需要使用負高壓，真空室內(nèi)要求有查壓板，這些造成了設備結(jié)構(gòu)復雜，性差，不易維護，造價也較高。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支力量雄厚的高素質(zhì)的群體，為廣大用戶提供高產(chǎn)品、完整的解決方案和的服務公司。主要產(chǎn)品有 Stokes真空泵 Edwards真空泵 萊寶真空泵維修 萊寶真空泵 中央真空系統(tǒng) 真空泵維修 上海真空泵維修 真空泵維修 等。 本企業(yè)堅持以誠信立業(yè)、以守業(yè)、以進取興業(yè)的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業(yè)作出貢獻，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠為您服務！
